အထူးသီးသန့်ဓာတ်ငွေ့များယေဘူယျနဲ့ မတူဘူး။စက်မှုဓာတ်ငွေ့၎င်းတို့တွင် အထူးပြုအသုံးပြုမှုများရှိပြီး သီးခြားနယ်ပယ်များတွင် အသုံးချသည်။ ၎င်းတို့တွင် သန့်ရှင်းမှု၊ အညစ်အကြေးပါဝင်မှု၊ ဖွဲ့စည်းမှု၊ နှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများအတွက် သီးခြားလိုအပ်ချက်များရှိသည်။ စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးဓာတ်ငွေ့များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အထူးဓာတ်ငွေ့များသည် အမျိုးအစားစုံလင်သော်လည်း ထုတ်လုပ်မှုနှင့် အရောင်းပမာဏမှာ နည်းပါးသည်။

ဟိရောနှောဓာတ်ငွေ့များနှင့်စံကိုက်ညှိဓာတ်ငွေ့များကျွန်ုပ်တို့သည် အထူးပြုဓာတ်ငွေ့များ၏ အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများကို အများအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။ ရောစပ်ထားသောဓာတ်ငွေ့များကို အများအားဖြင့် ယေဘူယျရောစပ်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်ရောစပ်ဓာတ်ငွေ့များအဖြစ် ပိုင်းခြားထားသည်။

အထွေထွေရောစပ်ဓာတ်ငွေ့များ ပါဝင်သည်-လေဆာရောထွေးဓာတ်ငွေ့၊ ကိရိယာ ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့ ၊ ဂဟေဆော်မှု ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့ ၊ ထိန်းသိမ်းမှု ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့ ၊ လျှပ်စစ် အလင်းရင်းမြစ် ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့ ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ နှင့် ဇီဝဗေဒ သုတေသန ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့ ၊ ပိုးသတ်ခြင်း နှင့် ပိုးသတ်ခြင်း ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့ ၊ တူရိယာ အချက်ပေး ဓာတ်ငွေ့ ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့ ၊ ဖိအားမြင့် ဓာတ်ငွေ့ နှင့် သုည အဆင့်လေ ။

အီလက်ထရွန်းနစ်ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများတွင် epitaxial ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများ၊ ဓာတုအခိုးအငွေ့များထုတ်လွှတ်သည့်ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများ၊ ဓာတုဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများ၊ etching ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများနှင့် အခြားအီလက်ထရွန်နစ်ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများပါဝင်သည်။ ဤဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် မရှိမဖြစ်အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး အကြီးစားပေါင်းစပ်ဆားကစ် (LSI) နှင့် အလွန်ကြီးမားသော ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း (VLSI) ထုတ်လုပ်ခြင်းအပြင် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။

5 အီလက်ထရွန်းနစ်ရောစပ်ဓာတ်ငွေ့ အမျိုးအစားများမှာ အသုံးအများဆုံးဖြစ်သည်။

ဓာတ်ငွေ့ ရောနှော သောက်သုံးခြင်း။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ ထုတ်လုပ်ရာတွင်၊ အချို့သော အညစ်အကြေးများကို အလိုရှိသော လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ခံနိုင်ရည်အား ပေးစွမ်းနိုင်စေရန်၊ ခုခံအား၊ PN လမ်းဆုံများ၊ မြှုပ်ထားသော အလွှာများနှင့် အခြားပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်နိုင်စေရန်အတွက် အချို့သော အညစ်အကြေးများကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ပစ္စည်းများတွင် ထည့်သွင်းပါသည်။ doping လုပ်ငန်းစဉ်တွင်အသုံးပြုသောဓာတ်ငွေ့များကို dopant gases ဟုခေါ်သည်။ ဤဓာတ်ငွေ့များတွင် အဓိကအားဖြင့် arsine၊ phosphine၊ phosphorus trifluoride၊ phosphorus pentafluoride၊ arsenic trifluoride၊ arsenic pentafluoride၊ဘိုရွန် trifluoride, နှင့် diborane ။ dopant ရင်းမြစ်ကို ပုံမှန်အားဖြင့် အရင်းအမြစ်ကက်ဘိနက်တစ်ခုတွင် သယ်ဆောင်သည့်ဓာတ်ငွေ့ (အာဂွန်နှင့် နိုက်ထရိုဂျင်ကဲ့သို့) နှင့် ရောစပ်ထားသည်။ ထို့နောက် ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့များကို ပျံ့နှံ့နေသော မီးဖိုထဲသို့ စဉ်ဆက်မပြတ် ထိုးသွင်းပြီး wafer ပတ်ပတ်လည်တွင် ပျံ့နှံ့သွားကာ wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အညစ်အကြေးများကို အပ်နှံသည်။ ထို့နောက် အညစ်အကြေးသည် ဆီလီကွန်နှင့် ဓာတ်ပြုပြီး ဆီလီကွန်ထဲသို့ ရွှေ့ပြောင်းသွားသည့် အညစ်အကြေးသတ္တုတစ်မျိုးကို ဖွဲ့စည်းသည်။

Epitaxial ကြီးထွားမှုဓာတ်ငွေ့အရောအနှော

Epitaxial ကြီးထွားမှုသည် ပုံဆောင်ခဲတစ်မျိုးတည်းကို အလွှာတစ်ခု၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်သို့ အပ်နှံခြင်းနှင့် ကြီးထွားခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင်၊ ဂရုတစိုက်ရွေးချယ်ထားသောအလွှာတစ်ခုပေါ်ရှိ ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (CVD) ကို အသုံးပြု၍ ပစ္စည်းတစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသောအလွှာများပေါက်စေရန်အသုံးပြုသည့်ဓာတ်ငွေ့များကို epitaxial gases ဟုခေါ်သည်။ အဖြစ်များသော ဆီလီကွန် epitaxial ဓာတ်ငွေ့များသည် dihydrogen dichlorosilane၊ silicon tetrachloride နှင့် silane တို့ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့ကို epitaxial silicon deposition၊ polycrystalline silicon deposition၊ silicon oxide film deposition၊ silicon nitride film deposition၊ and amorphous silicon film deposition, solar cells and other photosensitive devices အတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။

အိုင်းယွန်းစိုက်ဓာတ်ငွေ့

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာနှင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၊ အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အသုံးပြုသည့်ဓာတ်ငွေ့များကို အိုင်ယွန်ထည့်သွင်းခြင်းဓာတ်ငွေ့အဖြစ် စုပေါင်းရည်ညွှန်းသည်။ အိုင်းယွန်းအညစ်အကြေးများ (ဥပမာ ဘိုရွန်၊ ဖော့စဖရပ်၊ နှင့် အာဆင်းနစ်အိုင်းယွန်းများ) သည် အလွှာထဲသို့မထည့်သွင်းမီ မြင့်မားသောစွမ်းအင်အဆင့်သို့ အရှိန်မြှင့်သွားပါသည်။ Ion implantation နည်းပညာသည် threshold voltage ကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် အသုံးများဆုံးဖြစ်သည်။ စိုက်ထားသော အညစ်အကြေးပမာဏကို ion beam current တိုင်းတာခြင်းဖြင့် ဆုံးဖြတ်နိုင်သည်။ အိုင်းယွန်းစိုက်ဓာတ်ငွေ့များတွင် အများအားဖြင့် ဖော့စဖရပ်၊ အာဆင်းနစ်နှင့် ဘိုရွန်ဓာတ်ငွေ့များ ပါဝင်သည်။

ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့များကို စုပ်ယူခြင်း။

Etching သည် photoresist ဖြင့်ဖုံးအုပ်ထားသောနေရာကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ်တွင် သတ္တုဖလင်၊ ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်ဖလင်စသည်ဖြင့် ပြုပြင်ထားသောမျက်နှာပြင် (ဥပမာ-သတ္တုဖလင်၊ ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်ဖလင်စသည်) ကို ထွင်းထုခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။

Chemical Vapor Deposition Gas Mixture ၊

Chemical vapor deposition (CVD) သည် အခိုးအငွေ့အဆင့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုမှတဆင့် အရာတစ်ခု သို့မဟုတ် ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုကို အပ်နှံရန်အတွက် မတည်ငြိမ်သောဒြပ်ပေါင်းများကို အသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် အခိုးအငွေ့အဆင့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများကို အသုံးပြုသည့် ရုပ်ရှင်-ဖွဲ့စည်းပုံနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ အသုံးပြုထားသော CVD ဓာတ်ငွေ့များသည် ဖန်သားပြင်အမျိုးအစားပေါ်မူတည်၍ ကွဲပြားသည်။