အထူးဓာတ်ငွေ့များအများနဲ့ မတူတဲ့စက်မှုဓာတ်ငွေ့များ၎င်းတို့တွင် အထူးပြုအသုံးပြုမှုများရှိပြီး သီးခြားနယ်ပယ်များတွင် အသုံးချကြသည်။ ၎င်းတို့တွင် သန့်စင်မှု၊ မသန့်စင်မှုပါဝင်မှု၊ ပါဝင်မှုနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒဂုဏ်သတ္တိများအတွက် သီးခြားလိုအပ်ချက်များရှိသည်။ စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးဓာတ်ငွေ့များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အထူးဓာတ်ငွေ့များသည် အမျိုးအစားအားဖြင့် ပိုမိုကွဲပြားသော်လည်း ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ရောင်းချမှုပမာဏ နည်းပါးသည်။

ထိုရောနှောဓာတ်ငွေ့များနှင့်စံသတ်မှတ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့များကျွန်ုပ်တို့ အသုံးများသော ဓာတ်ငွေ့များသည် အထူးပြုဓာတ်ငွေ့များ၏ အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ ရောနှောဓာတ်ငွေ့များကို ယေဘုယျအားဖြင့် အထွေထွေရောနှောဓာတ်ငွေ့များနှင့် အီလက်ထရွန်နစ်ရောနှောဓာတ်ငွေ့များအဖြစ် ခွဲခြားထားသည်။

အထွေထွေ ရောနှောဓာတ်ငွေ့များတွင် အောက်ပါတို့ ပါဝင်သည်-လေဆာရောနှောဓာတ်ငွေ့၊ ကိရိယာထောက်လှမ်းခြင်း ရောနှောဓာတ်ငွေ့၊ ဂဟေဆော်ခြင်း ရောနှောဓာတ်ငွေ့၊ ထိန်းသိမ်းခြင်း ရောနှောဓာတ်ငွေ့၊ လျှပ်စစ်မီးအရင်းအမြစ် ရောနှောဓာတ်ငွေ့၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာနှင့် ဇီဝဗေဒဆိုင်ရာ သုတေသန ရောနှောဓာတ်ငွေ့၊ ပိုးသတ်ခြင်းနှင့် ပိုးသတ်ခြင်း ရောနှောဓာတ်ငွေ့၊ ကိရိယာအချက်ပေး ရောနှောဓာတ်ငွေ့၊ မြင့်မားသောဖိအား ရောနှောဓာတ်ငွေ့နှင့် သုညအဆင့်လေ။

အီလက်ထရွန်းနစ်ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများတွင် epitaxial ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများ၊ ဓာတုအငွေ့စုပုံဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများ၊ doping ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများ၊ etching ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများနှင့် အခြားအီလက်ထရွန်းနစ်ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများ ပါဝင်သည်။ ဤဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများသည် semiconductor နှင့် microelectronics လုပ်ငန်းများတွင် မရှိမဖြစ်အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပြီး ကြီးမားသော integrated circuit (LSI) နှင့် အလွန်ကြီးမားသော integrated circuit (VLSI) ထုတ်လုပ်မှုအပြင် semiconductor device ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်လည်း ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။

အီလက်ထရွန်းနစ် ရောနှောဓာတ်ငွေ့ အမျိုးအစား ၅ မျိုး အသုံးအများဆုံး

ဒိုပင်း ရောနှောထားသော ဓာတ်ငွေ့

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ ထုတ်လုပ်ရာတွင်၊ လိုချင်သော လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ခုခံနိုင်စွမ်းကို ပေးစွမ်းရန်အတွက် အချို့သော မသန့်စင်မှုများကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများထဲသို့ ထည့်သွင်းထားပြီး၊ resistor များ၊ PN junction များ၊ မြှုပ်နှံထားသော အလွှာများနှင့် အခြားပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်နိုင်စေပါသည်။ doping လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အသုံးပြုသော ဓာတ်ငွေ့များကို dopant gases များဟုခေါ်သည်။ ဤဓာတ်ငွေ့များတွင် အဓိကအားဖြင့် arsine၊ phosphine၊ phosphorus trifluoride၊ phosphorus pentafluoride၊ arsenic trifluoride၊ arsenic pentafluoride တို့ ပါဝင်သည်။ဘိုရွန် ထရိုင်ဖလိုရိုက်, နှင့် diborane။ dopant source ကို source cabinet တွင် carrier gas (ဥပမာ argon နှင့် nitrogen) နှင့် ရောနှောလေ့ရှိသည်။ ထို့နောက် ရောနှောထားသောဓာတ်ငွေ့ကို diffusion furnace ထဲသို့ အဆက်မပြတ်ထိုးသွင်းပြီး wafer ပတ်လည်တွင် လည်ပတ်ကာ dopant ကို wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပုံစေသည်။ ထို့နောက် dopant သည် silicon နှင့် ဓာတ်ပြုပြီး silicon ထဲသို့ ရွှေ့ပြောင်းသွားသော dopant သတ္တုကို ဖွဲ့စည်းသည်။

Epitaxial ကြီးထွားမှုဓာတ်ငွေ့အရောအနှော

Epitaxial ကြီးထွားမှုဆိုသည်မှာ single crystal ပစ္စည်းတစ်ခုကို substrate မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပုံပြီး ကြီးထွားစေသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ semiconductor လုပ်ငန်းတွင်၊ ဂရုတစိုက်ရွေးချယ်ထားသော substrate ပေါ်တွင် chemical vapor deposition (CVD) ကို အသုံးပြု၍ ပစ္စည်းအလွှာတစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသော အလွှာများ ကြီးထွားစေရန် အသုံးပြုသော ဓာတ်ငွေ့များကို epitaxial gases ဟုခေါ်သည်။ အဖြစ်များသော silicon epitaxial ဓာတ်ငွေ့များတွင် dihydrogen dichlorosilane၊ silicon tetrachloride နှင့် silane တို့ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့ကို epitaxial silicon deposition၊ polycrystalline silicon deposition၊ silicon oxide film deposition၊ silicon nitride film deposition နှင့် amorphous silicon film deposition အတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။

အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းသည့်ဓာတ်ငွေ့

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၊ အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အသုံးပြုသောဓာတ်ငွေ့များကို အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းဓာတ်ငွေ့များဟု စုပေါင်းရည်ညွှန်းသည်။ အိုင်းယွန်းဓာတ်ပြုထားသော မသန့်စင်မှုများ (ဘိုရွန်၊ ဖော့စဖရပ်စ်နှင့် အာဆင်းနစ်အိုင်းယွန်းများကဲ့သို့) ကို အလွှာထဲသို့ ထည့်သွင်းခြင်းမပြုမီ မြင့်မားသောစွမ်းအင်အဆင့်သို့ အရှိန်မြှင့်သည်။ အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းနည်းပညာကို ကန့်သတ်ချက်ဗို့အားကို ထိန်းချုပ်ရန် အသုံးအများဆုံးဖြစ်သည်။ ထည့်သွင်းထားသော မသန့်စင်မှုများပမာဏကို အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်လျှပ်စီးကြောင်းကို တိုင်းတာခြင်းဖြင့် ဆုံးဖြတ်နိုင်သည်။ အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းဓာတ်ငွေ့များတွင် ဖော့စဖရပ်စ်၊ အာဆင်းနစ်နှင့် ဘိုရွန်ဓာတ်ငွေ့များ ပါဝင်လေ့ရှိသည်။

ရောနှောဓာတ်ငွေ့ဖြင့် ဖောက်ထွင်းခြင်း

Etching ဆိုသည်မှာ photoresist ဖြင့် ဖုံးကွယ်မထားသော substrate ပေါ်တွင် ပြုပြင်ထားသော မျက်နှာပြင် (သတ္တုဖလင်၊ ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်ဖလင် စသည်) ကို ထွင်းထုခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ပြီး photoresist ဖြင့် ဖုံးကွယ်ထားသော နေရာကို ထိန်းသိမ်းထားခြင်းဖြင့် substrate မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် လိုအပ်သော ပုံရိပ်ဖော်ပုံစံကို ရရှိစေပါသည်။

ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်းဓာတ်ငွေ့အရောအနှော

ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) သည် အငွေ့အဆင့် ဓာတုဓာတ်ပြုမှုမှတစ်ဆင့် တစ်ခုတည်းသော အရာ သို့မဟုတ် ဒြပ်ပေါင်းကို အငွေ့ပျံစေသော ဒြပ်ပေါင်းများကို အသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် အငွေ့အဆင့် ဓာတုဓာတ်ပြုမှုများကို အသုံးပြုသည့် ဖလင်ဖွဲ့စည်းခြင်း နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ အသုံးပြုသော CVD ဓာတ်ငွေ့များသည် ဖွဲ့စည်းနေသော ဖလင်အမျိုးအစားပေါ် မူတည်၍ ကွဲပြားသည်။